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廉价高导热氮化铝陶瓷

2001年 应用技术
  • 成果简介
现代电子器件和电路发展的特点是集成度日益提高，芯片尺寸越来越大，电路速度不断增长，同时也功耗越来越大。传统的封装材料已难以满足现代化微电的使用要求。AIN陶瓷具有极高的导热率(理论达350W/M.K)，热膨胀系数与硅相匹配，较好的综合力学性能、无毒、成为新一代电子基片、封闭的理想材料。AIN陶瓷以前由于采用高纯AL_2O_3在氮气氛下用碳还原的高温长时工艺，价格昂贵，90年代初苏联解体后，一种新的...
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